JP2008010515A - Method of manufacturing wiring board - Google Patents

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wiring board by which the productivity can be made high. <P>SOLUTION: The method of manufacturing a wiring board includes a step to form an isolation layer on a light transmission layer that is deteriorated by optical irradiation, a step to form a wiring structural body comprised of an insulation layer and wiring on the isolation layer, and a step wherein a light led from the light transmission layer is applied to the isolation layer to deteriorate the isolation layer and to separate the wiring structural body from the light transmission layer. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

本発明は、配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.

近年、半導体装置は携帯可能な電子機器・通信機器などに多く用いられるようになってきており、半導体装置を小型化・薄型化することが要求されている。このため、半導体チップが実装される配線基板についても小型化・薄型化が求められていた。   In recent years, semiconductor devices are increasingly used for portable electronic devices, communication devices, and the like, and it is required to reduce the size and thickness of semiconductor devices. For this reason, the wiring board on which the semiconductor chip is mounted is also required to be reduced in size and thickness.

しかし、配線基板を薄型化しようとすると、強度が不足して平坦度を保持したまま配線基板を製造することが困難となる場合があった。   However, when it is attempted to make the wiring board thinner, it may be difficult to manufacture the wiring board while maintaining the flatness due to insufficient strength.

そこで、例えば所定の支持板上に配線基板を形成し、所定の強度を確保した時点で支持板を除去する配線基板の製造方法が提案されていた（例えば特許文献１参照）。   Thus, for example, a wiring board manufacturing method has been proposed in which a wiring board is formed on a predetermined support plate and the support plate is removed when a predetermined strength is ensured (see, for example, Patent Document 1).

上記の特許文献１記載の配線基板の製造方法では、配線基板を支持する支持板（キャリア板）上に配線基板を接着する場合、支持板（配線基板）の周縁部にのみ接着材が配置されるようにしていることが特徴である。さらに、配線基板と支持板を分離する場合には、接着剤により接着された、支持板と配線基板の周縁部を切断している。
特開２００４−８７７０１号公報 In the method for manufacturing a wiring board described in Patent Document 1, when the wiring board is bonded onto a support plate (carrier board) that supports the wiring board, an adhesive is disposed only on the peripheral portion of the support board (wiring board). It is the feature that it is trying to do. Furthermore, when the wiring board and the support board are separated, the peripheral part of the support board and the wiring board, which is bonded by an adhesive, is cut.
Japanese Patent Laid-Open No. 2004-87701

しかし、上記の特許文献１（特開２００４−８７７０１号公報）にかかる方法では、配線基板の周縁部が切断されてしまうため、配線基板として形成可能な面積が減少してしまい、生産性が低下してしまう問題が生じていた。   However, in the method according to Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-87701), the peripheral portion of the wiring board is cut, so that the area that can be formed as the wiring board is reduced and productivity is lowered. There was a problem.

また、上記の製造方法では、支持板上に局所的に接着剤（接着層）が形成されるため、周縁部の膜厚が異なる懸念があった。このため、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングや、絶縁層の形成などの加工精度にばらつきが生じて歩留まりが低下し、配線基板の生産性が低下してしまう懸念が生じていた。   Moreover, in said manufacturing method, since the adhesive agent (adhesion layer) was locally formed on a support plate, there existed concern that the film thickness of a peripheral part might differ. For this reason, there has been a concern that variations in processing accuracy such as patterning using a photolithography method and formation of an insulating layer occur, yield decreases, and wiring board productivity decreases.

そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な配線基板の製造方法を提供することを統括的課題としている。   In view of this, the present invention has a general object to provide a novel and useful method for manufacturing a wiring board that solves the above-described problems.

本発明の具体的な課題は、生産性が良好となる配線基板の製造方法を提供することである。   The specific subject of this invention is providing the manufacturing method of the wiring board from which productivity becomes favorable.

本発明は、上記の課題を、光透過性の層上に、光照射により変質する分離層を形成する工程と、前記分離層上に絶縁層と配線を含む配線構造体を形成する工程と、前記光透過性の層により導入される光を前記分離層に照射することで前記分離層を変質させ、前記配線構造体を前記光透過性の層から分離する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法により、解決する。   The present invention provides the above-described problems by forming a separation layer that is altered by light irradiation on a light-transmitting layer, and forming a wiring structure including an insulating layer and wiring on the separation layer; Illuminating the separation layer with light introduced by the light transmissive layer to alter the separation layer, and separating the wiring structure from the light transmissive layer. This is solved by a method of manufacturing a wiring board.

本発明によれば、生産性が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the manufacturing method of the wiring board from which productivity becomes favorable.

また、前記分離層は、光触媒材料を含むと、光照射による分離層の変質の効果が大きくなり、好ましい。   Moreover, it is preferable that the separation layer contains a photocatalytic material because the effect of alteration of the separation layer due to light irradiation is increased.

また、前記光触媒材料は、酸化チタン、酸化タングステン、酸化銅、および酸化鉄よりなる群より選択される材料であってもよい。   The photocatalytic material may be a material selected from the group consisting of titanium oxide, tungsten oxide, copper oxide, and iron oxide.

また、平面視した場合に前記光透過性の層は前記配線構造体より大きくなるよう構成されると、前記光透過性の層による光の導入が容易となり、好ましい。   In addition, it is preferable that the light-transmitting layer be larger than the wiring structure when viewed in plan because light can be easily introduced by the light-transmitting layer.

また、前記光透過性の層への前記光の導入は、当該光透過性の層の前記配線構造体が形成される側から行われると、前記光の導入が容易となり、好ましい。   Further, it is preferable that the light is introduced into the light transmissive layer from the side of the light transmissive layer where the wiring structure is formed because the light can be easily introduced.

また、前記光透過性の層の端部で前記光が反射されることにより、当該光透過性の層へ前記光が導入されると、前記光の導入が容易となり、好ましい。   In addition, it is preferable that the light is introduced into the light-transmitting layer by reflecting the light at an end of the light-transmitting layer, so that the light can be easily introduced.

また、前記光透過性の層への前記光の導入は、当該光透過性の層と平行な方向より行われるようにしてもよい。   The light may be introduced into the light transmissive layer from a direction parallel to the light transmissive layer.

また、前記光透過性の層は、該光透過性の層を支持する支持板上で支持されると、安定に配線基板を製造することが可能になり、好ましい。   Further, it is preferable that the light-transmitting layer is supported on a support plate that supports the light-transmitting layer because a wiring board can be stably manufactured.

また、前記配線構造体に、半導体チップを実装する工程をさらに有するようにしてもよい。   Moreover, you may make it further have the process of mounting a semiconductor chip in the said wiring structure.

また、前記半導体チップを実装する工程の後で、前記配線構造体を前記光透過性の層から分離する工程を実施するようにしてもよい。   Further, after the step of mounting the semiconductor chip, a step of separating the wiring structure from the light transmissive layer may be performed.

本発明によれば、生産性が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the manufacturing method of the wiring board from which productivity becomes favorable.

本発明による配線基板の製造方法は、１）光透過性の層上に、光照射により変質する分離層を形成する工程と、２）前記分離層上に絶縁層と配線を含む配線構造体を形成する工程と、３）前記光透過性の層により導入される光を前記分離層に照射することで前記分離層を変質させ、前記配線構造体を前記光透過性の層から分離する工程と、を有することを特徴としている。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes: 1) a step of forming a separation layer that is altered by light irradiation on a light transmissive layer; and 2) a wiring structure including an insulating layer and wiring on the separation layer. And 3) a step of altering the separation layer by irradiating the separation layer with light introduced by the light transmissive layer, and separating the wiring structure from the light transmissive layer. It is characterized by having.

上記の製造方法では、絶縁層や配線を含む配線構造体を、該配線構造体を支持する光透過性の層から分離（剥離）することが容易となっている。したがって、本発明では、接着剤を用いた配線基板周縁部の接着や、該周縁部（接着剤を用いた部分）の切断による廃棄が不要となり、配線基板の生産性が良好になっている。   In the above manufacturing method, it is easy to separate (peel) the wiring structure including the insulating layer and the wiring from the light-transmitting layer that supports the wiring structure. Accordingly, in the present invention, it is not necessary to bond the peripheral edge of the wiring board using an adhesive or to cut the peripheral edge (part using the adhesive), and the productivity of the wiring board is improved.

次に、上記の配線基板の製造方法の具体的な例について、図面に基づき、以下に説明する。   Next, a specific example of the method for manufacturing the wiring board will be described below with reference to the drawings.

図１Ａ〜図１Ｇは、本発明の実施例１による配線基板の製造方法を、手順を追って説明する図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。   FIG. 1A to FIG. 1G are diagrams for explaining the wiring board manufacturing method according to the first embodiment of the present invention step by step. However, the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof may be omitted.

まず、図１Ａに示す工程において、例えば金属よりなる支持板１０１の第１の面と、該第１の面の反対側の第２の面に、光透過性の材料よりなる光透過層２０１、３０１をそれぞれ設置する。光透過性層２０１、３０１は、例えばガラスにより形成されるが、ガラスに限定されず他の光透過性材料を用いてもよい。   First, in the step shown in FIG. 1A, a light transmissive layer 201 made of a light transmissive material, on a first surface of a support plate 101 made of metal, for example, and a second surface opposite to the first surface, 301 is installed. The light transmissive layers 201 and 301 are made of, for example, glass, but are not limited to glass, and other light transmissive materials may be used.

また、光透過層２０１、３０１は、予め形成された平板状のものを支持板１０１に貼り付けてもよいが、塗布または成膜などの方法を用いて支持板１０１の前記第１の面と第２の面にそれぞれ形成してもよい。また、光透過層２０１，３０１の端部は、後の工程において光の導入が容易となるように、テーパー形状とされることが好ましい。   In addition, the light transmission layers 201 and 301 may be formed in a flat plate shape that is formed in advance on the support plate 101. However, the light transmission layers 201 and 301 may be attached to the first surface of the support plate 101 using a method such as coating or film formation. You may form in a 2nd surface, respectively. In addition, the end portions of the light transmission layers 201 and 301 are preferably tapered so that light can be easily introduced in a later step.

次に、図１Ｂに示す工程において、光透過層２０１上に分離層２０２を、光透過層３０１上に分離層３０２をそれぞれ形成する。なお、文中では、支持板１０１を中心として、支持板１０１から離れる方向を上側として説明している。   Next, in the step shown in FIG. 1B, the separation layer 202 and the separation layer 302 are formed on the light transmission layer 201 and the light transmission layer 301, respectively. In the description, the support plate 101 is the center, and the direction away from the support plate 101 is described as the upper side.

上記の分離層２０２、３０２は、光照射（例えば紫外線照射）によって変質する層であり、例えば光触媒材料を含む構造とされることが好ましい。当該光触媒としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化銅（Ｃｕ_２Ｏ）、および酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）よりなる群より選択される材料を用いることができる。 The separation layers 202 and 302 are layers that are altered by light irradiation (for example, ultraviolet irradiation), and preferably have a structure including, for example, a photocatalytic material. As the photocatalyst, for example, a material selected from the group consisting of titanium oxide (TiO ₂ ), tungsten oxide (WO ₃ ), copper oxide (Cu ₂ O), and iron oxide (Fe ₂ O ₃ ) is used. it can.

また、上記の分離層２０２、３０２を形成する場合には、例えば、液体コーティング法、ＣＶＤ法、スパッタ法、その他の蒸着法などの様々な方法により、形成することができる。また、分離層２０２、３０２は、後の工程において配線構造体（絶縁層や配線など）が形成される領域に対応して形成されることが好ましく、光導入のための経路となる光透過層２０１、３０１の端部には形成されないことが好ましい。このような分離層のパターニングは、例えばマスク成膜によるパターニング、または、フォトリソグラフィ法により形成されるマスクパターンを用いたパターンエッチングなどの方法により行うことができる。   Moreover, when forming said isolation | separation layer 202,302, it can form by various methods, such as a liquid coating method, CVD method, a sputtering method, and another vapor deposition method, for example. Further, the separation layers 202 and 302 are preferably formed corresponding to a region where a wiring structure (insulating layer, wiring, or the like) is formed in a later step, and a light transmission layer serving as a path for light introduction It is preferable that it is not formed in the edge part of 201,301. Such patterning of the separation layer can be performed by a method such as patterning by mask film formation or pattern etching using a mask pattern formed by photolithography.

次に、図１Ｃに示す工程において、例えば樹脂フィルムのラミネートまたは液状樹脂の塗布により、分離層２０２上に樹脂層２０３を、分離層３０２上に樹脂層３０３をそれぞれ形成する。樹脂層２０３、３０３は、例えばエポキシまたはポリイミドなどの材料により構成される。   Next, in the step shown in FIG. 1C, the resin layer 203 is formed on the separation layer 202 and the resin layer 303 is formed on the separation layer 302 by laminating a resin film or applying a liquid resin, for example. The resin layers 203 and 303 are made of a material such as epoxy or polyimide, for example.

次に、図１Ｄに示す工程において、樹脂層２０３を介して分離層２０２上に配線構造体４００Ａを、樹脂層３０３を介して分離層３０２上に配線構造体５００Ａをそれぞれ形成する。配線構造体４００Ａ、５００Ａは、例えば公知のビルドアップ法により形成される。   Next, in the step shown in FIG. 1D, a wiring structure 400A is formed on the separation layer 202 via the resin layer 203, and a wiring structure 500A is formed on the separation layer 302 via the resin layer 303. The wiring structures 400A and 500A are formed by, for example, a known build-up method.

上記の配線構造体４００Ａ、５００Ａは、絶縁層に配線が形成された構造が積層された、いわゆる多層配線構造を有している。ビルドアップ法では、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂よりなるいわゆるビルドアップ樹脂を積層して、多層配線構造を形成することができる。   The wiring structures 400A and 500A have a so-called multilayer wiring structure in which a structure in which wiring is formed in an insulating layer is laminated. In the build-up method, a multilayer wiring structure can be formed by stacking so-called build-up resins made of, for example, an epoxy resin or a polyimide resin.

配線構造体４００Ａは、樹脂層２０３上に、ソルダーレジスト層４０１、絶縁層（ビルドアップ層）４０２、４０３、ソルダーレジスト層４０４が順に積層された構造を有している。ソルダーレジスト層４０１の開口部には、樹脂層２０３に接するように電極パッド（パターン配線）４０５が形成され、絶縁層４０２にはビアプラグ４０６が、絶縁層４０３にはパターン配線４０７とビアプラグ４０８が、ソルダーレジスト層４０４の開口部には、パターン配線４０９と電極パッド４１０が、それぞれ形成されている。   The wiring structure 400 </ b> A has a structure in which a solder resist layer 401, insulating layers (build-up layers) 402 and 403, and a solder resist layer 404 are sequentially laminated on a resin layer 203. An electrode pad (pattern wiring) 405 is formed in the opening of the solder resist layer 401 so as to be in contact with the resin layer 203, the via plug 406 is formed in the insulating layer 402, the pattern wiring 407 and the via plug 408 are formed in the insulating layer 403, Pattern wirings 409 and electrode pads 410 are formed in the openings of the solder resist layer 404, respectively.

例えば、上記の配線構造体４００Ａを形成する場合には、以下のようにすればよい。まず、パターンメッキによって、樹脂層２０３上に電極パッド４０５を形成する。また、電極パッド４０５は、印刷法によって形成してもよい。   For example, when the wiring structure 400A is formed, the following may be performed. First, the electrode pad 405 is formed on the resin layer 203 by pattern plating. The electrode pad 405 may be formed by a printing method.

次に、絶縁層４０２をラミネートまたは塗布により形成し、レーザなどによってビアホールを形成する。次に、当該ビアホールにビアプラグ４０６と、絶縁層４０２上にパターン配線４０７をメッキ法（セミアディティブ法）により形成する。   Next, the insulating layer 402 is formed by lamination or coating, and a via hole is formed by a laser or the like. Next, a via plug 406 and a pattern wiring 407 are formed on the insulating layer 402 in the via hole by a plating method (semi-additive method).

次に、上記の絶縁層４０２、プラプラグ４０６、パターン配線４０７を形成した場合と同様にして、絶縁層４０３、ビアプラグ４０８、パターン配線４０９をそれぞれ形成する。   Next, the insulating layer 403, the via plug 408, and the pattern wiring 409 are formed in the same manner as in the case where the insulating layer 402, the plastic plug 406, and the pattern wiring 407 are formed.

次に、パターン配線４０９上に電極パッド４１０を、電極パッド４１０の周囲にソルダーレジスト層４０４を形成し、配線構造体４００Ａを形成することができる。   Next, the electrode pad 410 can be formed on the pattern wiring 409, and the solder resist layer 404 can be formed around the electrode pad 410 to form the wiring structure 400A.

また、配線構造体５００Ａは、配線構造体４００Ａと同様の構造を有し、配線構造体４００Ａと同様の方法で形成することが可能である。この場合、積層されたソルダーレジスト層５０１、絶縁層５０２、５０３、ソルダーレジスト層５０４は、それぞれ、ソルダーレジスト層４０１、絶縁層４０２、４０３、ソルダーレジスト層４０４に相当する。また、電極パッド（パターン配線）５０５、ビアプラグ５０６、５０８、パターン配線５０７、５０９、電極パッド５１０は、それそれ、電極パッド（パターン配線）４０５、ビアプラグ４０６、４０８、パターン配線４０７、４０９、電極パッド４１０に相当する。   Further, the wiring structure 500A has a structure similar to that of the wiring structure 400A, and can be formed by a method similar to that of the wiring structure 400A. In this case, the laminated solder resist layer 501, insulating layers 502 and 503, and solder resist layer 504 correspond to the solder resist layer 401, insulating layers 402 and 403, and solder resist layer 404, respectively. In addition, the electrode pad (pattern wiring) 505, the via plugs 506 and 508, the pattern wiring 507 and 509, and the electrode pad 510 are the electrode pad (pattern wiring) 405, the via plugs 406 and 408, the pattern wiring 407 and 409, and the electrode pad, respectively. This corresponds to 410.

次に、図１Ｅに示す工程において、光透過性層２０１、３０１に照射光ＵＶ（例えば紫外線）を照射する。照射光ＵＶは、光透過性層２０１、３０１により分離層２０２、３０２側に導入される。導入された照射光ＵＶは、それぞれ、分離層２０２、３０２に照射され、分離層２０２、３０２を変質させる。   Next, in the step shown in FIG. 1E, the light transmissive layers 201 and 301 are irradiated with irradiation light UV (for example, ultraviolet rays). The irradiation light UV is introduced to the separation layers 202 and 302 side by the light transmissive layers 201 and 301. The introduced irradiation light UV is irradiated to the separation layers 202 and 302, respectively, to change the quality of the separation layers 202 and 302.

上記の光照射を行うにあたっては、配線構造体４００Ａ，５００Ａと光透過層２０１、３０１を平面視した場合に、光透過性層２０３、３０３が、それぞれ、配線構造体４００Ａ、５００Ａより大きくなるよう構成されていることが好ましい。上記のように構成されていると、照射光ＵＶの照射は、光透過性層２０１、３０１の、それぞれ、配線構造体４００Ａ、５００Ａが形成されている側から行うことが可能となり、照射光の照射が容易となる。   In performing the above light irradiation, when the wiring structures 400A and 500A and the light transmission layers 201 and 301 are viewed in plan, the light transmission layers 203 and 303 are larger than the wiring structures 400A and 500A, respectively. It is preferable to be configured. When configured as described above, the irradiation of the irradiation light UV can be performed from the side of the light transmissive layers 201 and 301 where the wiring structures 400A and 500A are formed, respectively. Irradiation is easy.

また、先に説明したように、光透過性層２０１、３０１のそれぞれの端部がテーパー形状とされていると、当該テーパー形状の反射によって光の導入が容易となり、好ましい。   Further, as described above, it is preferable that each end portion of the light-transmitting layers 201 and 301 has a tapered shape because light can be easily introduced by reflection of the tapered shape.

次に、図１Ｆに示すように、配線構造体４００Ａを光透過層２０１（支持板１０１）から、配線構造体５００Ａを光透過層３０１（支持板１０１）から分離（剥離）する。本工程においては、分離層２０２、３０２が光（ＵＶ）照射によって変質されているため、配線構造体４００Ａ、５００Ａは、光透過層２０１、３０１から、容易に分離することができる。   Next, as shown in FIG. 1F, the wiring structure 400A is separated (separated) from the light transmission layer 201 (support plate 101) and the wiring structure 500A is separated from the light transmission layer 301 (support plate 101). In this step, since the separation layers 202 and 302 are altered by light (UV) irradiation, the wiring structures 400A and 500A can be easily separated from the light transmission layers 201 and 301.

例えば、分離層２０２、３０２に、光触媒材料を用いた場合を例にとって、分離層２０２、３０２によって分離が容易になる理由を以下に説明する。まず、光触媒材料は親水性のため、樹脂（樹脂層２０３、３０３）との密着性は良好となる。このため、図１Ｃに示した工程において形成される樹脂層２０３と、分離層２０２の密着性は良好となる。同様に、樹脂層３０３と分離層３０２の密着性も良好となる。従って、図１Ｄに示した工程では、支持板１０１（光透過性層２０１、３０１）に支持された状態で、安定に配線構造体４００Ａ、５００Ａを形成することができる。   For example, taking the case where a photocatalytic material is used for the separation layers 202 and 302 as an example, the reason why the separation layers 202 and 302 facilitate separation will be described below. First, since the photocatalytic material is hydrophilic, the adhesion with the resin (resin layers 203 and 303) is good. For this reason, the adhesiveness of the resin layer 203 formed in the process shown to FIG. 1C and the separation layer 202 becomes favorable. Similarly, the adhesion between the resin layer 303 and the separation layer 302 is also improved. Therefore, in the process shown in FIG. 1D, the wiring structures 400A and 500A can be stably formed while being supported by the support plate 101 (light transmissive layers 201 and 301).

ここで、光触媒材料（分離層２０２、３０２）に光（好ましくは波長の高い紫外線）が照射されると、光触媒材料上の有機物は、水・二酸化炭素・ＯＨラジカルなどに分解される。このため、分離層２０２、３０２と、分離層２０２、３０２上に形成された樹脂層２０３、３０３とは容易に分離されることになる。   Here, when the photocatalyst material (separation layers 202 and 302) is irradiated with light (preferably ultraviolet light having a high wavelength), the organic matter on the photocatalyst material is decomposed into water, carbon dioxide, OH radicals, and the like. Therefore, the separation layers 202 and 302 and the resin layers 203 and 303 formed on the separation layers 202 and 302 are easily separated.

次に、図１Ｇに示す工程において、配線構造体４００Ａの樹脂層２０３を、例えばウェットエッチング、または研削（研磨）などの方法により除去し、配線基板４００を形成することができる。また、本図では図示を省略しているが、配線構造体５００Ａの樹脂層３０３を除去することにより、配線基板４００と同様の構造を有する配線基板５００を形成することができる。   Next, in the step shown in FIG. 1G, the resin layer 203 of the wiring structure 400A can be removed by a method such as wet etching or grinding (polishing) to form the wiring substrate 400. Although not shown in the drawing, the wiring substrate 500 having the same structure as the wiring substrate 400 can be formed by removing the resin layer 303 of the wiring structure 500A.

上記の製造方法では、配線構造体４００Ａ、５００Ａを支持する構造（光透過層２０１、３０１、支持板１０１）から、配線構造体４００Ａ、５００Ａを分離することが容易であることが特徴である。このため、配線構造体４００Ａ、５００Ａの平面度を良好に保持して形成しつつ、最終的に形成される配線基板４００、５００を薄型化することが可能となる。   The above-described manufacturing method is characterized in that it is easy to separate the wiring structures 400A and 500A from the structure that supports the wiring structures 400A and 500A (light transmission layers 201 and 301 and the support plate 101). Therefore, it is possible to reduce the thickness of the finally formed wiring boards 400 and 500 while maintaining the flatness of the wiring structures 400A and 500A well.

また、上記の製造方法では、従来の配線基板の製造方法のように、接着剤を用いた配線基板周縁部の接着や、該周縁部（接着剤を用いた部分）の切断による廃棄が不要となり、配線基板の生産性が良好になっている。   Further, in the above manufacturing method, unlike the conventional method of manufacturing a wiring board, it is not necessary to dispose of the peripheral part of the wiring board using an adhesive or cutting the peripheral part (part using the adhesive). The productivity of the wiring board is good.

また、配線構造体の周縁部にのみ接着層（接着剤）が形成されるなど、配線構造体の平面度を低下させる要因が少なくなるため、配線基板の周縁部と中心部での厚さの差が小さく（段差が小さく）、良好な生産性で配線基板を製造することが可能となる。   In addition, since the adhesive layer (adhesive) is formed only at the peripheral portion of the wiring structure, there are fewer factors that reduce the flatness of the wiring structure. The difference is small (the step is small), and the wiring board can be manufactured with good productivity.

また、実施例１の配線基板の製造方法に、さらに半導体チップを実装し、封止する工程を設けて、半導体チップが実装された構造を有する配線基板を製造してもよい。   Further, the method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment may further include mounting and sealing a semiconductor chip to manufacture a wiring board having a structure on which the semiconductor chip is mounted.

図２Ａ〜図２Ｄは、本発明の実施例２による配線基板の製造方法を、手順を追って示したものである。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。   2A to 2D show a method of manufacturing a wiring board according to the second embodiment of the present invention, following the procedure. However, the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

本実施例による製造方法においては、まず実施例１の図１Ａ〜図１Ｄに示した工程を実施する。   In the manufacturing method according to this embodiment, first, the steps shown in FIGS. 1A to 1D of Embodiment 1 are performed.

次に、図２Ａに示す工程において、ソルダーレジスト層４０４上に半導体チップ４１１を設置し、半導体チップ４１１と電極パッド４１０をボンディングワイヤ４１２で接続する。さらに、半導体チップ４１１とボンディングワイヤ４１２を、モールド樹脂４１３で封止する。   Next, in the step shown in FIG. 2A, the semiconductor chip 411 is placed on the solder resist layer 404, and the semiconductor chip 411 and the electrode pad 410 are connected by the bonding wire 412. Further, the semiconductor chip 411 and the bonding wire 412 are sealed with a mold resin 413.

同様にして、ソルダーレジスト層５０４上に半導体チップ５１１を設置し、半導体チップ５１１と電極パッド５１０をボンディングワイヤ５１２で接続する。さらに、半導体チップ５１１とボンディングワイヤ５１２を、モールド樹脂５１３で封止する。   Similarly, the semiconductor chip 511 is installed on the solder resist layer 504, and the semiconductor chip 511 and the electrode pad 510 are connected by the bonding wire 512. Further, the semiconductor chip 511 and the bonding wire 512 are sealed with a mold resin 513.

ここで、配線構造体４００Ａに半導体チップが実装されてなる配線構造体４００Ｂと、配線構造体５００Ａに半導体チップが実装されてなる配線構造体５００Ｂとが形成される。   Here, a wiring structure 400B in which a semiconductor chip is mounted on the wiring structure 400A and a wiring structure 500B in which a semiconductor chip is mounted on the wiring structure 500A are formed.

次に、図２Ｂに示す工程において、実施例１に示した図１Ｅの工程と同様にして、光透過層２０１、３０１を介して分離層２０２、３０２に照射光ＵＶを照射し、分離層２０２、３０２を変質させる。   Next, in the process shown in FIG. 2B, the separation layers 202 and 302 are irradiated with the irradiation light UV through the light transmission layers 201 and 301 in the same manner as the process of FIG. , 302 is altered.

次に、図２Ｃに示すように、実施例１に示した図１Ｆの工程と同様にして、配線構造体４００Ｂを光透過層２０１から、配線構造体５００Ｂを光透過層３０１から分離する。   Next, as illustrated in FIG. 2C, the wiring structure 400 </ b> B is separated from the light transmission layer 201 and the wiring structure 500 </ b> B is separated from the light transmission layer 301 in the same manner as the process of FIG. 1F illustrated in the first embodiment.

次に、図２Ｄに示す工程において、実施例１に示した図１Ｇの工程と同様にして、配線構造体４００Ｂの樹脂層２０３を除去し、半導体チップが実装されてなる配線基板４００Ｃを形成することができる。また、本図では図示を省略しているが、配線構造体５００Ｂの樹脂層３０３を除去することにより、配線基板４００Ｃと同様の構造を有する配線基板５００Ｃを形成することができる。   Next, in the step shown in FIG. 2D, the resin layer 203 of the wiring structure 400B is removed and the wiring substrate 400C on which the semiconductor chip is mounted is formed in the same manner as the step of FIG. 1G shown in the first embodiment. be able to. Although not shown in the drawing, the wiring board 500C having the same structure as the wiring board 400C can be formed by removing the resin layer 303 of the wiring structure 500B.

また、半導体チップの実装方法は、本実施例に示したようなワイヤボンディングに限定されず、例えばフリップ実装であってもよい。   The semiconductor chip mounting method is not limited to wire bonding as shown in the present embodiment, and may be flip mounting, for example.

また、本発明による配線基板の製造方法は、上記の実施例１、実施例２に示した場合に限定されず、以下に説明するように、さらに様々に変形・変更することが可能である。ただし、本実施例以下の、実施例３〜実施例５の説明で用いる図中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。また、特に説明しない部分（工程）は、実施例１と同様の方法で配線基板を製造することが可能である。   Further, the method for manufacturing a wiring board according to the present invention is not limited to the case shown in the first and second embodiments, and can be further modified and changed variously as described below. However, in the drawings used in the description of the third to fifth embodiments below, the same reference numerals are given to the portions described above, and the description thereof is omitted. In addition, a part (process) that is not particularly described can be used to manufacture a wiring board by the same method as in the first embodiment.

図３は、本発明の実施例３による配線基板の製造方法を示す図である。図３は、実施例１の図１Ｅに示した工程に対応している。   FIG. 3 is a diagram showing a method of manufacturing a wiring board according to Embodiment 3 of the present invention. FIG. 3 corresponds to the process shown in FIG. 1E of the first embodiment.

図３を参照するに、本実施例の場合、光透過層２０１、３０１の端部のテーパー形状の部分に、例えば金属材料よりなる反射部２０４、３０４がそれぞれ形成されている。反射部２０４、３０４が形成されることにより、さらに効率よく照射光ＵＶを分離層側に導入することが可能となる。   Referring to FIG. 3, in the case of the present embodiment, reflection portions 204 and 304 made of, for example, a metal material are formed in tapered portions at the ends of the light transmission layers 201 and 301, respectively. By forming the reflection parts 204 and 304, it becomes possible to introduce the irradiation light UV to the separation layer side more efficiently.

図４は、本発明の実施例４による配線基板の製造方法を示す図である。図４は、実施例１の図１Ｅに示した工程に対応している。また、本図の支持板１０１Ａ、光透過層２０１Ａ、３０１Ａは、実施例１（図１Ｅ）の場合の、支持板１０１、光透過層２０１、３０１にそれぞれ相当する。   FIG. 4 is a diagram showing a method of manufacturing a wiring board according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 4 corresponds to the process shown in FIG. 1E of the first embodiment. Further, the support plate 101A and the light transmission layers 201A and 301A in this figure correspond to the support plate 101 and the light transmission layers 201 and 301 in the case of Example 1 (FIG. 1E), respectively.

図４を参照するに、本実施例の場合、支持板１０１Ａ、光透過層２０１Ａ、３０１Ａと、配線構造体４００Ａ，５００Ａとが、平面視した場合に同じ大きさで形成されている。   Referring to FIG. 4, in the case of the present embodiment, the support plate 101A, the light transmission layers 201A and 301A, and the wiring structures 400A and 500A are formed in the same size when viewed in plan.

本実施例の場合、照射光ＵＶの光透過層２０１Ａ、３０１Ａへの導入（照射）は、光透過層２０１Ａ、３０１Ａと平行な方向より行うようにすればよい。本実施例の場合、支持板１０１Ａ、光透過層２０１Ａ、３０１Ａと配線構造体４００Ａ、５００Ｂとが同じ大きさであるため、実施例１の場合と比べて配線基板の形成工程が単純となる。   In the case of the present embodiment, the introduction (irradiation) of the irradiation light UV into the light transmission layers 201A and 301A may be performed in a direction parallel to the light transmission layers 201A and 301A. In the case of the present embodiment, since the support plate 101A, the light transmission layers 201A and 301A, and the wiring structures 400A and 500B have the same size, the wiring board forming process is simplified compared to the case of the first embodiment.

図５は、本発明の実施例５による配線基板の製造方法を示す図である。図５は、実施例１の図１Ｅに示した工程に対応している。   FIG. 5 is a diagram showing a method of manufacturing a wiring board according to Embodiment 5 of the present invention. FIG. 5 corresponds to the process shown in FIG. 1E of the first embodiment.

図５を参照するに、本実施例の場合、光透過層１０２の両面に分離層２０２、３０２が形成され、分離層２０２、３０２上にそれぞれ配線構造体４００Ａ、５００Ａが形成される構造になっている。すなわち、本実施例の場合、光透過層１０２が、実施例１の場合の支持板１０１、光透過層２０１，３０１の機能を兼ねている。光透過層１０２は、実質的に単層で配線構造体４００Ａ、５００Ａの双方を支持（保持）するとともに、分離層２０２、３０２にそれぞれ照射される照射光ＵＶの導入経路となっている。   Referring to FIG. 5, in this embodiment, separation layers 202 and 302 are formed on both surfaces of light transmission layer 102, and wiring structures 400A and 500A are formed on separation layers 202 and 302, respectively. ing. That is, in the case of the present embodiment, the light transmission layer 102 also functions as the support plate 101 and the light transmission layers 201 and 301 in the case of the first embodiment. The light transmission layer 102 is substantially a single layer that supports (holds) both of the wiring structures 400A and 500A, and serves as an introduction path for the irradiation light UV irradiated to the separation layers 202 and 302, respectively.

本実施例の場合、光透過層１０２が、実施例１の場合の支持板１０１と光透過層２０１、３０１を併せた機能を有することで、配線基板の製造工程を単純とすることが可能となっている。   In the case of the present embodiment, the light transmission layer 102 has a function of combining the support plate 101 and the light transmission layers 201 and 301 in the case of the first embodiment, so that the manufacturing process of the wiring board can be simplified. It has become.

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。   Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and various modifications and changes can be made within the scope described in the claims.

本発明によれば、生産性が良好となる配線基板の製造方法を提供することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it becomes possible to provide the manufacturing method of the wiring board from which productivity becomes favorable.

実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その１）である。FIG. 6 is a view (No. 1) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment. 実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その２）である。FIG. 6 is a diagram (No. 2) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その３）である。FIG. 6 is a diagram (No. 3) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その４）である。FIG. 6 is a diagram (No. 4) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その５）である。FIG. 6 is a diagram (No. 5) for illustrating a method of manufacturing a wiring board according to Example 1; 実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その６）である。FIG. 6 is a view (No. 6) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その７）である。FIG. 7 is a view (No. 7) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment; 実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１）である。FIG. 9 is a diagram (No. 1) illustrating a method for manufacturing a wiring board according to Example 2; 実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その２）である。FIG. 10 is a diagram (No. 2) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the second embodiment. 実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その３）である。FIG. 11 is a diagram (No. 3) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the second embodiment. 実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その４）である。FIG. 8 is a diagram (No. 4) illustrating the method for manufacturing the wiring board according to the second embodiment. 実施例３による配線基板の製造方法を示す図である。6 is a diagram illustrating a method of manufacturing a wiring board according to Example 3. FIG. 実施例４による配線基板の製造方法を示す図である。6 is a diagram showing a method for manufacturing a wiring board according to Example 4. FIG. 実施例５による配線基板の製造方法を示す図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a method for manufacturing a wiring board according to Example 5;

符号の説明Explanation of symbols

１０１，１０１Ａ 支持板
１０２，２０１，３０１，２０１Ａ，３０１Ａ 光透過層
２０２、３０２ 分離層
２０３，３０３ 樹脂層
２０４，３０４ 反射部
４００，４００Ｃ，５００，５００Ｃ 配線基板
４００Ａ，４００Ｂ，５００Ａ，５００Ｂ 配線構造体
４０１，４０４，５０１，５０４ ソルダーレジスト層
４０２，４０３，５０２，５０３ 絶縁層
４０５，４１０，５０５，５１０ 電極パッド
４０６，４０８，５０６，５０８ ビアプラグ
４０７，４０９，５０７，５０９ パターン配線 101, 101A Support plate 102, 201, 301, 201A, 301A Light transmission layer 202, 302 Separation layer 203, 303 Resin layer 204, 304 Reflection part 400, 400C, 500, 500C Wiring substrate 400A, 400B, 500A, 500B Wiring structure Body 401, 404, 501, 504 Solder resist layer 402, 403, 502, 503 Insulating layer 405, 410, 505, 510 Electrode pad 406, 408, 506, 508 Via plug 407, 409, 507, 509 Pattern wiring